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元件参数资料
>
参数目录40200
> FDC6020C MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT
型号:
FDC6020C
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Fairchild Semiconductor
描述:
MOSFET N/P-CHAN 20V COMPL 6SSOT
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
FDC6020C PDF
产品变化通告
Mold Compound Change 27/March/2008
产品目录绘图
MOSFET SuperSOT-6
标准包装
3,000
系列
PowerTrench®
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.9A,4.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
27 毫欧 @ 5.9A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
677pF @ 10V
功率 - 最大
1.2W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-SSOT 扁平引线,SuperSOT?-6 FLMP
供应商设备封装
6-SSOT
包装
带卷 (TR)
其它名称
FDC6020CTR
FDC6020C_NL
FDC6020C_NLTR
FDC6020C_NLTR-ND
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